Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2006-03-30

Journal: 大连理工大学学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI、Scopus

Volume: 46

Issue: 2

Page Number: 202-206

ISSN: 1000-8608

Key Words: 金属间化合物层;强磁场;抛物线规律;生长速率

Abstract: 研究了3 T和8 T强磁场作用下Sn-3Ag-0.5Cu/Cu焊接接头界面金属间化合物在170℃时效过程中的生长行为.结果表明:强磁场作用下界面金属间化合物层的厚度随着时效时间的延长而增加,且呈抛物线规律;随着磁场强度的增大,Sn-3Ag-0.5Cu/Cu界面金属间化合物的生长速度加快.分析认为强磁场的存在加快了原子的运动,提高了原子的扩散系数,从而加快了界面金属间化合物层的生长速度.