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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2010-04-01
Journal:物理学报
Included Journals:SCIE、PKU、ISTIC、CSCD
Volume:59
Issue:4
Page Number:2653-2660
ISSN No.:1000-3290
Key Words:大气压等离子体射流;发射光谱;电子激发温度;多晶硅薄膜沉积
Abstract:本文采用发射光谱法诊断了大气压下Ar气、SiCl_4及H_2气混合气体(Ar/SiCl_4/H_2)射频放电等离子体射流特性.利用Si原子谱线强度计算了电子激发温度并以此估算了Si原子数密度,研究了射频功率及气体流量对电子激发温度和Si原子数密度以及SiCl_4解离率的作用.
