点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2016-01-01

发表刊物：中国电机工程学报

收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：36

期号：24

页面范围：6736-6742

关键字：针-板电极; 正极性微秒脉冲; 大气压弥散放电; 六甲基二硅氧烷; 类SiO_2薄膜

摘要：大气条件下弥散放电能够产生大面积、高能量密度的低温等离子体,在导体表面薄膜沉积领域具有广阔的应用前景。该文研究了大气压下Cu片表面类SiO_2薄
   膜的沉积方法,以六甲基二硅氧烷为反应前驱物,使用正极性微秒脉冲电源激发针-板电极结构弥散放电,探讨了沉积过程中不同的放电气体对放电过程以及沉积薄
   膜化学成分的影响。实验结果表明,分别采用氩气和空气作为放电气体时,在相同电压下前者具有更大的放电功率、更强的发射光谱强度以及更高的沉积薄膜效率。
   傅里叶变换红外光谱(Fourier transform infrared
   spectroscopy,FTIR)分析以及水接触角测量结果表明,空气放电沉积薄膜氧化程度较高,属于类SiO_2薄膜,其水接触角为85°;而氩气
   放电沉积薄膜是有机硅薄膜,其水接触角为100°。此外,通过优化空气/氩气混合气体的比例,在700sccm空气/500
   sccm氩气条件下得到了氧化程度更高的薄膜,其水接触角也进一步降低到76°。以上实验结果表明,使用大气压弥散放电能够在Cu片表面有效沉积类SiO
   _2薄膜。