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氧化铝薄膜的中频脉冲直流磁控溅射沉积和反应毒化现象分析

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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2009-07-20

Page Number:1

Key Words:氧化铝;形貌;微观结构;折射率

Abstract:氧化铝薄膜在力学、光学等领域有着广泛的应用前景,研究其沉积条件对氧化铝薄膜结构特性的影响具有重要的意义。本文采用中频脉冲直流磁控溅射方法在Si(100)衬底上制备出氧化铝薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜、可见紫外分光光度计研究反应气体比例对于薄膜厚度、表面形貌、微观结构和折射率的影响,研究结果表明,当固定其它沉积条件时,反应气体的比例能够显著影响氮化铝薄膜的结构和各项物理性能,薄膜的沉积速率随反应气体比例的变化可以从反应溅射的毒化效应来解释,尽管中频脉冲电源放电能够解决阴极消失和阴极表面电弧的现象,反应溅射的迟滞效应仍然影响薄膜的沉积速率;当沉积速率发生突变时,薄膜的折射率、微观结构、表面形貌也发生相应的变化,结合反应溅射的迟滞效应的S.Berg模型和表面动力学过程分析了沉积条件中反应气体比例对氮化铝薄膜各项性能的影响关系。

Pre One:离子注入Zn的Si(001)基片热氧化制备纳米ZnO团簇及其生长行为研究

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