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论文类型：期刊论文

发表时间：2006-03-14

发表刊物：化学学报

收录刊物：Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、SCIE

卷号：64

期号：5

页面范围：371-374

ISSN号：0567-7351

关键字：溶剂热合成;晶体结构;开放骨架;热稳定性

摘要：用溶剂热方法合成了[Me4N]2HgGe4S10,通过单晶X射线衍射,IR,DSC-TG手段对其进行了表征.结果表明,标题化合物属四方晶系,I-4空间群,晶胞参数a=0.92687(8)nm,c=1.43739(12)nmr,V=1.23484(18)nm3,Z=2,Mo Kαλ=0.071073 nm,R1=0.0570,wR2=0.1374,空旷骨架结构由超四面体Ge4S10与HgS4四面体共用顶点连接而成,有机模板离子在一维孔道中.该化合物具有一定的热稳定性,在320℃发生分解形成GeS2.