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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2002-01-01
Journal:仪器仪表学报
Included Journals:PKU、ISTIC
Volume:23
Issue:z1
Page Number:122-123
ISSN No.:0254-3087
Key Words:硅;二氧化硅;残余应力;微应变计
Abstract:借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅-二氧化硅界面残余应力的微结构应变计,并对其测量结果作了讨论.
