Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Conference Paper

Date of Publication: 2005-08-13

Volume: Vol.16

Page Number: 372-374

Key Words: PZT薄膜;微力传感器;标定;双晶片

Abstract: 　　本文采用双晶片探头和电子天平对PZT微力传感器进行静态力标定,进而利用双晶片探头和电荷放大器对PZT微力传感器进行准静态标定,微小信号检测通过锁相放大器来实现.PZT薄膜在基体Pt/Ti/SiO2/Si<100>上用溶胶-凝胶法制备,然后在600℃下退火.PZT微力传感器完全由MEMS体硅加工工艺来实现.