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基于硅基PZT微力传感器标定系统的初步研究

Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2005-01-01

Journal: 中国机械工程

Included Journals: ISTIC、PKU

Volume: 16

Issue: z1

Page Number: 372-374

ISSN: 1004-132X

Key Words: PZT薄膜 微力传感器 标定 双晶片

Abstract: 采用双晶片探头和电子天平对PZT微力传感器进行静态力标定,进而利用双晶片探头和电荷放大器对PZT微力传感器进行准静态标定,微小信号检测通过锁相放大器来实现.PZT薄膜在基体Pt/Ti/SiO2/Si<100>上用溶胶-凝胶法制备,然后在600℃下退火.PZT微力传感器完全由MEMS体硅加工工艺来实现.

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