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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2005-10-20

Journal:功能材料

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

Volume:36

Issue:10

Page Number:1545-1548

ISSN No.:1001-9731

Key Words:氧化锌;掺杂;Li+;c-轴取向;电阻率

Abstract:ZnO薄膜的高阻特性在压电方面的应用极为重要.采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了c轴择优取向优良、电阻率高和化学计量比好的掺Li+(Li/Zn摩尔比分别为0、0.05、0.10、0.15、0.20)ZnO压电薄膜.研究了退火温度、掺杂浓度对ZnO薄膜晶体质量和电学特性的影响.XRD结果表明,ZnO薄膜的c轴择优取向度受退火温度和掺杂浓度的强烈影响;I-V测试表明,掺Li+后薄膜的电阻率显著提高,当Li+掺杂浓度为0.10(Li/Zn摩尔比)、退火温度为600℃时其电阻率达109Ω@cm;XPS分析结果表明,Li+掺杂对ZnO薄膜中O1s和ZnL3M45M45的结合能以及Zn/O比都有一定的影响,掺杂后化学计量比更好.