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论文类型：期刊论文

发表时间：2005-10-20

发表刊物：功能材料

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：36

期号：10

页面范围：1545-1548

ISSN号：1001-9731

关键字：氧化锌;掺杂;Li+;c-轴取向;电阻率

摘要：ZnO薄膜的高阻特性在压电方面的应用极为重要.采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了c轴择优取向优良、电阻率高和化学计量比好的掺Li+(Li/Zn摩尔比分别为0、0.05、0.10、0.15、0.20)ZnO压电薄膜.研究了退火温度、掺杂浓度对ZnO薄膜晶体质量和电学特性的影响.XRD结果表明,ZnO薄膜的c轴择优取向度受退火温度和掺杂浓度的强烈影响;I-V测试表明,掺Li+后薄膜的电阻率显著提高,当Li+掺杂浓度为0.10(Li/Zn摩尔比)、退火温度为600℃时其电阻率达109Ω@cm;XPS分析结果表明,Li+掺杂对ZnO薄膜中O1s和ZnL3M45M45的结合能以及Zn/O比都有一定的影响,掺杂后化学计量比更好.