Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2004-01-01

Journal: 化学通报

Included Journals: ISTIC、PKU

Volume: 67

Issue: 7

Page Number: 551-551

ISSN: 0441-3776

Key Words: 硅片;Silicalite-1;沸石;沸石薄膜;气体传感器

Abstract: 利用低温化学气相沉积法,在经过热氧化处理的单晶硅片(100)上引入硅源;再利用气相转移法,将硅片上的硅源晶化为Silicalite-1沸石晶体;最后,利用二次生长法与直接原位晶化法相结合,将含有沸石晶种的硅片放入沸石合成前驱液中,在单晶硅片上合成出了连续致密的薄Silicalite-1沸石膜,单晶硅片没有被腐蚀.