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教授
博士生导师
硕士生导师
任职 : 国际磨粒技术学会（International Committee of Abrasive Technology, ICAT）委员，中国机械工程学会极端制造分会副主任、生产工程分会常务委员、微纳米制造技术分会常务委员，中国机械工程学会生产工程分会磨粒加工技术专业委员会副主任、切削加工专业委员会常委委员、精密工程与微纳技术专业委员会常委委员，中国机械工程学会特种加工分会超声加工技术委员会副主任，中国机械工程学会摩擦学分会微纳制造摩擦学专业委员会常务委员，中国机械工业金属切削刀具协会切削先进制造技术研究会常务理事、对外学术交流工作委员会副主任、切削先进制造技术研究会自动化加工技术与系统委员会副主任。
性别：男
毕业院校：西北工业大学
学位：博士
所在单位：机械工程学院
学科：机械制造及其自动化. 机械电子工程. 航空宇航制造工程
办公地点：机械工程学院7191
电子邮箱：kangrk@dlut.edu.cn
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超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析
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论文类型：期刊论文
发表时间：2003-10-23
发表刊物：半导体技术
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：28
期号：10
页面范围：27-32
ISSN号：1003-353X
关键字：化学机械抛光;材料去除机理;CMP系统过程变量
摘要：目前半导体制造技术已经跨入0.13 μ m和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35 μ m以下IC制造不可缺少的技术.CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚.本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素.