康仁科
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论文成果
ULSI制造中铜化学机械抛光的腐蚀磨损机理分析
- 点击次数：
- 论文类型：期刊论文
- 发表时间：2005-07-15
- 发表刊物：润滑与密封
- 收录刊物：EI、PKU、ISTIC、Scopus
- 文献类型：J
- 期号：4
- 页面范围：77-80
- ISSN号：0254-0150
- 关键字：ULSI;铜化学机械抛光;材料去除机理;腐蚀磨损
- 摘要：以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(Cu-CMP)为研究对象,针对Cu-CMP中存在的抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨损现象,采用腐蚀磨损理论分析了Cu-CMP材料去除机理.提出铜CMP的材料去除中存在着机械增强的化学腐蚀和化学增强的机械磨损,并分析了Cu-CMP的静态腐蚀材料去除、机械增强的腐蚀去除与化学增强的机械去除机理.
