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教授
博士生导师
硕士生导师
任职 : 国际磨粒技术学会（International Committee of Abrasive Technology, ICAT）委员，中国机械工程学会极端制造分会副主任、生产工程分会常务委员、微纳米制造技术分会常务委员，中国机械工程学会生产工程分会磨粒加工技术专业委员会副主任、切削加工专业委员会常委委员、精密工程与微纳技术专业委员会常委委员，中国机械工程学会特种加工分会超声加工技术委员会副主任，中国机械工程学会摩擦学分会微纳制造摩擦学专业委员会常务委员，中国机械工业金属切削刀具协会切削先进制造技术研究会常务理事、对外学术交流工作委员会副主任、切削先进制造技术研究会自动化加工技术与系统委员会副主任。
性别：男
毕业院校：西北工业大学
学位：博士
所在单位：机械工程学院
学科：机械制造及其自动化. 机械电子工程. 航空宇航制造工程
办公地点：机械工程学院7191
电子邮箱：kangrk@dlut.edu.cn
An empirical equation for prediction of silicon wafer deformation
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论文类型：期刊论文
发表时间：2017-06-01
发表刊物：MATERIALS RESEARCH EXPRESS
收录刊物：SCIE
卷号：4
期号：6
ISSN号：2053-1591
关键字：silicon wafer; residual stress; strain energy; FEM
摘要：A thin subsurface damage layer is often formed in the ground layer of a silicon wafer. Compressive stresses exist in the damage layer of the wafer and cause the wafer to deflect when it is unloaded from the vacuum chuck. The residual stresses play an important role in evaluating the machining quality of a wafer. A concise yet accurate stress-deflection relationship is desired so that the residual stresses can be calculated from the wafer deflection. The theoretical equation based on minimizing the total strain energy is often used. However, the anisotropic effects of silicon are neglected and would incur errors when it is applied on silicon wafers. This study establishes an empirical equation via a finite element (FE) model. Both equations are verified in experiments. It is found that FE model is more accurate than the theoretical equation.