|
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
任职 : 国际磨粒技术学会（International Committee of Abrasive Technology, ICAT）委员，中国机械工程学会极端制造分会副主任、生产工程分会常务委员、微纳米制造技术分会常务委员，中国机械工程学会生产工程分会磨粒加工技术专业委员会副主任、切削加工专业委员会常委委员、精密工程与微纳技术专业委员会常委委员，中国机械工程学会特种加工分会超声加工技术委员会副主任，中国机械工程学会摩擦学分会微纳制造摩擦学专业委员会常务委员，中国机械工业金属切削刀具协会切削先进制造技术研究会常务理事、对外学术交流工作委员会副主任、切削先进制造技术研究会自动化加工技术与系统委员会副主任。
性别：男
毕业院校：西北工业大学
学位：博士
所在单位：机械工程学院
学科：机械制造及其自动化. 机械电子工程. 航空宇航制造工程
办公地点：机械工程学院7191
电子邮箱：kangrk@dlut.edu.cn
A New High-Efficiency and Low-Damage Polishing Process of HgCdTe Wafer
点击次数：
论文类型：期刊论文
发表时间：2012-02-01
发表刊物：MATERIALS AND MANUFACTURING PROCESSES
收录刊物：SCIE、EI
卷号：27
期号：2
页面范围：229-232
ISSN号：1042-6914
关键字：Dmage; HgCdTe; Mechanism; Polishing; Removal; Roughness; Slurry; Subsurface; Surface
摘要：HgCdTe crystals have been accepted as a very important material of infrared detectors, and due to their soft-brittle nature, machining HgCdTe wafers is a challenge in the field of ultraprecision manufacture. In this article, the new polishing slurry is developed, and the new polishing process is employed to polish HgCdTe wafers; the polishing results showed that the polished surface roughness Ra is as small as 0.32 nm, the polished surface is smooth and flat, and the subsurface damage only contains thin amorphous layer with depth of 3 nm. The material removal mechanism during polishing HgCdTe wafers is that HgCdTe react with oxidant and acid in the polishing slurry, and at last, the polished surfaces are covered with HgCdTe and TeO2.