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晶面择优取向ZnO纳米棒阵列膜的制备及其光催化活性研究

Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2007-04-20

Journal: 功能材料

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI

Volume: 38

Issue: 4

Page Number: 648-651

ISSN: 1001-9731

Key Words: ZnO纳米棒;晶面择优取向;锌片;光催化;甲基橙

Abstract: 采用简单、低温的方法,在修饰过的Zn片上成功制备出具有高度取向的ZnO纳米棒阵列.用SEM、XRD和PL技术对制备出的ZnO纳米棒的结构和谱学特性进行了表征,并通过降解甲基橙溶液研究了其光催化活性.结果表明,ZnO纳米棒是六方钎锌矿晶,与基底垂直,具有沿(002)晶面择优生长的特征.统计结果显示,湿化学反应24h后90%以上的ZnO纳米棒直径为80~140nm,长度为4μm.在PL谱中观察到3个荧光发射带,中心波长分别位于386nm的紫带、524nm的绿带和450~500nm附近的蓝带.ZnO纳米棒的光催化反应为一级反应,表观速率常数与甲基橙的初始浓度有关.

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