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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2009-10-15

Journal:半导体光电

Included Journals:Scopus、PKU、ISTIC、CSCD

Volume:30

Issue:5

Page Number:656-659

ISSN No.:1001-5868

Key Words:光电探测器;SOl硅片;光谱响应;醴瓷淠い

Abstract:针对仿生微纳导航传感器对380～520nm波长的探测要求,从Lambert定理出发,设计了一种蓝紫光探测器,并对器件的结构和工艺进行了优化分析.利用SOI硅片上薄的单晶硅层,实现了较高的蓝紫光响应度,同时抑制了可见光中的长波和近红外光的响应度.当SOI硅片的器件层厚度为3μm时,450nm波长的响应度为0.348 A/W,900nm波长的响应度为0.054 A/W.数值计算和理论分析表明,设计的器件是一种高性能的蓝紫光敏感光电探测器.