Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2009-10-15

Journal: 半导体光电

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、Scopus

Volume: 30

Issue: 5

Page Number: 656-659

ISSN: 1001-5868

Key Words: 光电探测器;SOl硅片;光谱响应;醴瓷淠い

Abstract: 针对仿生微纳导航传感器对380～520nm波长的探测要求,从Lambert定理出发,设计了一种蓝紫光探测器,并对器件的结构和工艺进行了优化分析.利用SOI硅片上薄的单晶硅层,实现了较高的蓝紫光响应度,同时抑制了可见光中的长波和近红外光的响应度.当SOI硅片的器件层厚度为3μm时,450nm波长的响应度为0.348 A/W,900nm波长的响应度为0.054 A/W.数值计算和理论分析表明,设计的器件是一种高性能的蓝紫光敏感光电探测器.