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论文类型：期刊论文

发表时间：2009-10-15

发表刊物：半导体光电

收录刊物：Scopus、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：30

期号：5

页面范围：656-659

ISSN号：1001-5868

关键字：光电探测器;SOl硅片;光谱响应;醴瓷淠い

摘要：针对仿生微纳导航传感器对380～520nm波长的探测要求,从Lambert定理出发,设计了一种蓝紫光探测器,并对器件的结构和工艺进行了优化分析.利用SOI硅片上薄的单晶硅层,实现了较高的蓝紫光响应度,同时抑制了可见光中的长波和近红外光的响应度.当SOI硅片的器件层厚度为3μm时,450nm波长的响应度为0.348 A/W,900nm波长的响应度为0.054 A/W.数值计算和理论分析表明,设计的器件是一种高性能的蓝紫光敏感光电探测器.