姜雪宁
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专利名称:一类氧离子导体电解质薄膜的构造及其脉冲磁控溅射制备方法
第一作者:姜雪宁
发明设计人:陈充林,张庆瑜
申请号:CN200410020406.2
授权日期:2004-04-13
授权号:CN1564266
发布时间:2019-10-22
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