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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2008-01-20

Journal:机械工程材料

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:32

Issue:1

Page Number:17-20

ISSN No.:1000-3738

Key Words:多晶硅;冶金法;电阻率;晶界;金属硅化物

Abstract:利用四探针电阻测试仪、光学显微镜、扫描电镜、电感耦合等离子发射光谱仪、能谱分析等设备,从晶粒尺寸、组织形态以及晶界析出物等对冶金法制备的多晶硅电阻率的影响.结果表明:组织为等轴晶时,电阻率的大小与晶粒大小成正比;在组织为柱状晶时,平行于柱状晶方向的电阻率明显高于垂直方向的电阻率;在纯度较低的多晶硅中,金属杂质易在晶界处偏析,形成金属硅化物相,降低了多晶硅材料的电阻率.