Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2008-01-20

Journal: 机械工程材料

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 32

Issue: 1

Page Number: 17-20

ISSN: 1000-3738

Key Words: 多晶硅;冶金法;电阻率;晶界;金属硅化物

Abstract: 利用四探针电阻测试仪、光学显微镜、扫描电镜、电感耦合等离子发射光谱仪、能谱分析等设备,从晶粒尺寸、组织形态以及晶界析出物等对冶金法制备的多晶硅电阻率的影响.结果表明:组织为等轴晶时,电阻率的大小与晶粒大小成正比;在组织为柱状晶时,平行于柱状晶方向的电阻率明显高于垂直方向的电阻率;在纯度较低的多晶硅中,金属杂质易在晶界处偏析,形成金属硅化物相,降低了多晶硅材料的电阻率.