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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2009-02-15

Journal:半导体光电

Included Journals:Scopus、PKU、ISTIC、CSCD

Volume:30

Issue:1

Page Number:75-79,83

ISSN No.:1001-5868

Key Words:多晶硅薄膜;铜金属诱导层;热丝法化学气相沉积;择优取向;晶粒形态;晶化率

Abstract:采用热丝化学气相沉积方法在镀铜玻璃衬底上制备了柱状多晶硅薄膜.使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了灯丝与衬底间距(5～10 mm)、灯丝温度(1 800～1 500℃)以及对应的衬底温度(在320～200℃变化)对多晶硅薄膜的微观形貌、结晶性及晶体学生长方向的影响规律.研究结果表明:在镀铜玻璃衬底上金属诱导生长的多晶硅薄膜具有较高的晶化率,较低的晶化温度,同时铜过渡层影响多晶硅薄膜的晶体学生长方向.