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论文类型：期刊论文

发表时间：2007-01-30

发表刊物：真空科学与技术学报

收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU、EI

卷号：27

期号：1

页面范围：76-79

ISSN号：1672-7126

关键字：热丝化学气相沉积;多晶硅薄膜;择优取向;晶体形态

摘要：采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),在很近的热丝与衬底距离(5 mm)下沉积多晶硅薄膜,研究了热丝温度、SiH4浓度对多晶硅晶粒取向和晶粒尺寸的影响规律.结果表明:当热丝温度在1400 ℃～1800 ℃变化,衬底温度225 ℃～320 ℃时,沉积出多晶硅薄膜的择优取向随温度升高的变化规律是(111)→(220)→(111);在低的灯丝温度(≈1450 ℃)和低的衬底温度(≈235 ℃)条件下,获得了晶粒横向尺寸大于1 μm、垂直尺寸大于5 μm的均匀致密的多晶硅薄膜.