Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2015-10-15

Journal: 人工晶体学报

Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、EI

Volume: 44

Issue: 10

Page Number: 2702-2707

ISSN: 1000-985X

Key Words: KDP晶体;表面粗糙度;水溶解抛光

Abstract: 微纳水溶解抛光与计算机控制光学表面成形(CCOS)小工具抛光技术相结合,是针对大尺寸易溶于水的KDP晶体元件的一种有效加工方法.本文针对小工具抛光中行星运动方式及水溶解抛光工艺特点,为揭示各抛光工艺参数对KDP晶体表面粗糙度的影响规律,对晶体进行均匀抛光,并以抛光头转速比和转速、自转和公转方向、抛光载荷、抛光头直径、抛光液含水量为参变量,得到了最优抛光参数:抛光头公转自转反向,转速100r/min;抛光液含水量7.5％(质量分数);使用较大尺寸抛光头(工件尺寸的十分之一至五分之一).