Title of Paper:MOCVD方法生长制备ZnO-GaN组合发光器件

Hits:

Date of Publication:2012-04-11

Page Number:14-14

Key Words:MOCVD;发光器件;ZnO-GaN;晶格匹配;器件结构;异质结;光电器件;载流子复合;禁带;薄膜晶体;

Abstract:MOCVD方法适合制备光电器件和易于大规模工业生产,我们用MOCVD方法制备了几种ZnO-GaN组合异质结发光器件。这是因为,1、价格便宜的高质量GaN/Al_2O_3材料容易获得,我们研究组就能制备;2、GaN和ZnO晶体结构一致,晶格常数接近;3、光电特性相近,禁带宽度差不多,GaN的禁带宽度略宽于ZnO,如果器件结构合理,对光和载流子可能起到一定的限制作用。有助于克服目前制备的ZnO薄膜晶体质量大都不好,p型ZnO制备困难和ZnO晶格匹配的ZnO基异质材料不成熟等困难。以提高ZnO基发光器件功率和效率。这里主要介绍我们制备的四种器件。