Title of Paper:SiC衬底GaN LED生长及器件制备

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Date of Publication:2012-04-11

Page Number:28-28

Key Words:器件制备;GaN LED;SiC;半导体照明;新型光源;基板;晶格失配;垂直结构;大功率半导体;缓冲层;

Abstract:半导体发光二极管(LED)是制备半导体照明这一新型光源的核心元器件,具有巨大的市场前景。蓝光GaNLED可采用蓝宝石(Sapphire)与碳化硅(SiC)作为外延衬底材质,并以蓝宝石基板应用较为普遍。SiC与GaN的晶格失配仅为3%左右,理论上在SiC衬底上生长的GaN质量更好,而且SiC具有导热、导电性能,是制备大功率半导体照明器件的理想衬底。但是由于GaN与SiC之间热失配较大,GaN在高温生长结束之后降