Title of Paper:不同Sb含量p-SnO_2薄膜的制备和特性

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Date of Publication:2015-11-09

Journal:物理学报

Included Journals:Scopus、SCIE、EI、PKU、ISTIC、CSCD

Volume:64

Issue:24

Page Number:403-407

ISSN No.:1000-3290

Key Words:化学气相沉积;SnO_2薄膜;Sb掺杂;同质p-n结

Abstract:采用化学气相沉积方法,利用Sb_2O_3/Sn O作为源材料,在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO_2薄膜,并在此基础上制作出p-SnO_2:Sb/n-SnO_2同质p-n结器件.研究表明,随着Sb含量的增加,样品表面变得平滑,晶粒尺寸逐渐增大,且晶体质量有所改善,发现少量Sb的掺入可以起到表面活化剂的作用.Hall测量结果证实适量Sb的掺杂可以使SnO_2呈现p型导电特性,当Sb_2O_3/SnO的质量比为1:5时,其电学参数为最佳值.此外,p-SnO_2:Sb/n-SnO_2同质p-n结器件展现出良好的整流特性,其正向开启电压为3.4 V.