Title of Paper:Cu掺杂Zn0的光致发光光谱

Hits:

Date of Publication:2011-01-01

Journal:材料导报

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:25

Issue:2上

Page Number:36-42

ISSN No.:1005-023X

Key Words:Cu掺杂ZnO; 光致发光; 带边发射; 可见光发射

Abstract:ZnO是宽禁带半导体, 室温下禁带宽度为3.37eV, 激子束缚能高达60meV, 是制备光电器件的优选材料.然而,
   p型掺杂仍是亟待解决的问题.IB元素Cu被认为在ZnO中产生受主能级,
   可以实现ZnO0的p型掺杂.综述了各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的Cu掺杂ZnO薄膜、纳米线和纳米棒的光致发光谱和机理,
   总结出Cu掺杂ZnO光致发光谱的带边发射会因为Cu的掺杂强度降低, 或出现发射中心红移等现象.可见光区域由于
   Cu掺杂会产生新的蓝光、绿光和橙光发射峰, 蓝光发射峰可能与Cu2+ -Cu+跃迁或VZn和Zni有关; 绿光发射峰可能与Cu杂质或VO
   -VZn跃迁有关, Cu掺杂还可能引入非辐射复合的点缺陷中心; 橙光发射峰则可能由于Cu杂质受主能级向深施主能级跃迁而产生