Title of Paper:喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响

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Date of Publication:2012-11-07

Page Number:65-68

Key Words:化合物半导体;金属有机化学气相沉积;喷淋头高度;量子阱

Abstract:　　在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明,随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减小,垒／阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减小；增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定。此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显。