Indexed by:Journal Article

Date of Publication:2015-12-28

Journal:光电子技术

Included Journals:ISTIC

Volume:35

Issue:4

Page Number:253-257,262

ISSN:1005-488X

Key Words:氮化镓;紫光发光二极管;电子阻挡层;发光效率

Abstract:通过设计包括不同Al含量的单层p-AlGaN电子阻挡层与10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的三种紫光LED结构,利用APSYS软件理论模拟研究了400 nm紫光LED的光电性能,并着重研究了电子阻挡层结构对紫光LED的光电性能的影响.APSYS软件的模拟结果显示,10对p-AlGaN/GaN超品格电子阻挡层对光输出功率(LOP)的提升优于单层p型AlGaN电子阻挡层.为验证理论模拟结果,使用MOCVD系统制备了三种紫光LED外延片,并将外延片加工成紫光芯片,分析了不同电子阻挡层对紫光LED光电性能的影响.实验的光电测试结果显示,带有10对p-AlGaN/GaN超品格电子阻挡层的400 nm紫光LED发光效率高于另外两种紫光LED,在输入20 mA电流条件下,其光输出功率为21 mW,具有商用价值.