脉冲激光沉积法在p型GaAs衬底上制备ZnO同质结发光二极管
Release Time:2019-03-09 Hits:
Indexed by: Conference Paper
Date of Publication: 2008-11-30
Page Number: 408-411
Key Words: 氧化锌 同质结 发光二极管 脉冲激光沉积 整流特性 电致发光
Abstract: 通过脉冲激光沉积技术在p型GaAs衬底上制备了ZnO同质结发光二极管。非掺杂的ZnO作为器件的n型层,p型ZnO层通过衬底中的As向ZnO中扩散与退火形成。Ⅰ-Ⅴ曲线显示出较好的整流特性。室温正偏压下实现了可见光中心位置为500nm的电致发光。同时,也讨论了电致发光的起源。