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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2017-04-01

Journal:无机材料学报

Included Journals:EI、CSCD、SCIE、Scopus

Volume:32

Issue:4

Page Number:437-442

ISSN No.:1000-324X

Key Words:二氧化钒薄膜;太赫兹时域光谱;分子束外延;金属-绝缘体相变

Abstract:采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15～60 nm精确控制.对于优化条件下VO2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属-绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO2相变特性.特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO2薄膜在太赫兹波段的光学特性.结果表明:VO2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响.因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO2薄膜的厚度必须得到精确控制.本研究结果对于下一步VO2基太赫兹器件研究具有重要意义.