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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2006-12-30

Journal:发光学报

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:27

Issue:6

Page Number:958-962

ISSN No.:1000-7032

Key Words:ZnO薄膜;脉冲激光沉积;光致发光

Abstract:采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.优化工艺(700 ℃,20 Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.室温光致发光(PL)谱分析结果表明,随着薄膜生长时O2分压的增大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强,表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善.O2分压为20 Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量.