发布时间：2024-05-27 点击次数：
论文类型：期刊论文
论文编号：373575
发表刊物：SILICON
卷号：16
期号：1
页面范围：35-43
ISSN号：1876-990X
关键字：DESIGN; DISLOCATION; HIGH-EFFICIENCY; IMPURITIES; INGOT; MC-SI; MULTICRYSTALLINE SILICON; PHOTOVOLTAIC APPLICATION; REDUCTION; SOLIDIFICATION