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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2009-05-31
Page Number:38-41
Key Words:脉冲功率技术;驱动电路;场效应管;芯片设计
Abstract:随着半导体技术的发展,功率MOSFET因其体积小、重量轻、成本低和响应速度快而被越来越广泛地应用于脉冲功率源中。本文根据MOSFET的开关过程,分别从器件本身和驱动电路的两个方面,讨论了影响MOSFET开通时间的主要因素。在此基础上,提出了三种高速隔离型MOSFET驱动电路,给出了实验电路和参数。实验结果表明,MOSFET的开通时间均小于10ns。
