Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2010-08-28

Journal: 原子与分子物理学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 27

Issue: 4

Page Number: 795-800

ISSN: 1000-0364

Key Words: 紧束缚模型;CdTe;HgTe;电子结构

Abstract: 基于局域密度近似(LDA或GGA)的密度泛函理论计算往往低估体系的禁带宽度,而这一低估对窄带隙半导体尤为严重.尽管基于混合泛函的密度泛函理论能有效地修正这一误差,但是由于计算量较大仍无法用于计算较大体系.本文发展了一组能够比较准确描述CdTe和HgTe晶体电子结构的紧束缚参数.将基于混合泛函的密度泛函计算结果作为输入,我们构建了正交的sp3s*基组下的紧束缚模型. 此模型能够比较准确地描述能带结构在费米面附近4 eV范围内的色散关系.利用当前模型计算了CdTe和HgTe非晶的电子态密度,计算结果与他人的理论计算和实验值符合较好.