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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2010-08-28

Journal:原子与分子物理学报

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:27

Issue:4

Page Number:795-800

ISSN No.:1000-0364

Key Words:紧束缚模型;CdTe;HgTe;电子结构

Abstract:基于局域密度近似(LDA或GGA)的密度泛函理论计算往往低估体系的禁带宽度,而这一低估对窄带隙半导体尤为严重.尽管基于混合泛函的密度泛函理论能有效地修正这一误差,但是由于计算量较大仍无法用于计算较大体系.本文发展了一组能够比较准确描述CdTe和HgTe晶体电子结构的紧束缚参数.将基于混合泛函的密度泛函计算结果作为输入,我们构建了正交的sp3s*基组下的紧束缚模型. 此模型能够比较准确地描述能带结构在费米面附近4 eV范围内的色散关系.利用当前模型计算了CdTe和HgTe非晶的电子态密度,计算结果与他人的理论计算和实验值符合较好.