Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2008-12-01

Journal: 物理学报

Included Journals: Scopus、SCIE、CSCD、ISTIC、PKU、EI

Volume: 57

Issue: 12

Page Number: 7806-7813

ISSN: 1000-3290

Key Words: 密度泛函理论;电子结构;Be掺杂ZnO

Abstract: 采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be 2s电子与Zn 4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶 (VBM)始终由O 2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致BexZn1-xO禁带宽度变宽的原因之一.