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马春雨

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磁控溅射ZnO薄膜的退火热力学行为研究
  • Hits:
  • Indexed by:

    期刊论文

  • First Author:

    刘志文

  • Co-author:

    付伟佳,刘明,谷建峰,马春雨,张庆瑜

  • Date of Publication:

    2007-12-15

  • Journal:

    电子显微学报

  • Included Journals:

    ISTIC、CSCD

  • Document Type:

    J

  • Volume:

    26

  • Issue:

    6

  • Page Number:

    541-547

  • ISSN No.:

    1000-6281

  • Key Words:

    ZnO薄膜;退火行为;界面;扩散机制

  • Abstract:

    本文利用原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射等分析手段研究了反应射频磁控溅射截然不同的阶段,其临界转变温度在790 ℃附近.进一步分析表明,决定低温退火的晶粒长大机制为Zn填隙原子扩散机制,而决定高温退火时的晶粒长大机制为O空位扩散机制.界面分析结果显示:在临界转变温度以下,ZnO薄膜与基体Si之间基本不发生界面反应;在高温退火过程中,ZnO薄膜与基体Si之间的界面反应主要以氧化后的Si表面层向ZnO扩散的方式进行,并导致了薄膜应力的迅速增加,而界面反应开始之前的薄膜应力的变化,则是由于晶粒合并所引起的.

Pre One:La9.33Si6O26 electrolyte thin films for IT-SOFC application deposited by a HIPIMS/DC hybrid magnetron

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