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论文类型：期刊论文

第一作者：张凤田

通讯作者：Zhang, F.(zftstuart@sohu.com)

合写作者：唐祯安,汪家奇,余隽

发表时间：2008-06-15

发表刊物：半导体学报

收录刊物：EI、CSCD

卷号：29

期号：6

页面范围：1103-1107

ISSN号：0253-4177

关键字：电阻真空传感器;单片集成;CMOS;微热板

摘要：设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～105Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.