金秀梅

个人信息Personal Information

助理研究员

性别:女

毕业院校:东北财经大学

学位:学士

所在单位:集成电路学院

电子邮箱:jinxm@dlut.edu.cn

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专利

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一种镧系氧化物栅氧浅沟槽结构

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第一作者:瞿学选

发明设计人:金秀梅,唐祯安

申请号:CN201220083656.0

授权日期:2012-03-07

授权号:CN202523716U