金秀梅
个人信息Personal Information
助理研究员
性别:女
毕业院校:东北财经大学
学位:学士
所在单位:集成电路学院
电子邮箱:jinxm@dlut.edu.cn
扫描关注
一种镧系氧化物栅氧浅沟槽结构
点击次数:
第一作者:瞿学选
发明设计人:金秀梅,唐祯安
申请号:CN201220083656.0
授权日期:2012-03-07
授权号:CN202523716U