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论文类型：期刊论文

发表时间：2008-12-15

发表刊物：机械工程学报

收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：44

期号：12

页面范围：215-220,225

ISSN号：0577-6686

关键字：软脆功能晶体;CdZnTe;化学机械抛光;纳米球抛光液

摘要：采用直径为2～5 μm α型Al2O3研磨剂和自行研制的均匀分布的5 nm抛光球抛光液,进行研磨-机械抛光-化学机械抛光新工艺对Cd0.9Zn0.1Te(111)、Cd0.96Zn0.04Te(110)和Cd0.96Zn0.04Te(111)单晶片进行了精密抛光研究,并对Cd0.96Zn0.04Te(111)单晶片采用研磨-机械抛光-化学腐蚀传统加工方法进行了对比研究.采用传统加工方法加工的Cd0.96Zn0.04Te(111)表面有很多的腐蚀沟、嵌入硬质颗粒和较大划痕;而采用新工艺后Cd0.9Zn0.1Te(111)单晶片表面光滑,无加工缺陷; Cd0.96Zn0.04Te(110)表面光滑,无任何嵌入硬质颗粒,有较浅的腐蚀坑和轻微的划痕;Cd0.96Zn0.04Te(111)表面光滑,无任何嵌入硬质颗粒、腐蚀坑,有非常少的极轻微的隐约可见的小划痕.Cd0.9Zn0.1Te(111)、Cd0.96Zn0.04Te(110)和Cd0.96Zn0.04Te(111)单晶片表面化学机械抛光后表面粗糙度Ra分别为2.196 nm,3.145 nm,3.499 nm.