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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2009-06-25
Journal:固体电子学研究与进展
Included Journals:Scopus、PKU、ISTIC、CSCD
Volume:29
Issue:2
Page Number:183-186
ISSN No.:1000-3819
Key Words:有机薄膜晶体管;迁移率;开关电流比
Abstract:制作了以并五苯为半导体有源层材料的有机薄膜晶体管.用热氧化的方法制备了一层230 nm的二氧化硅栅绝缘层并用原子力显微镜(AFM)分析了表面形貌.研究了器件的电学性能,得到的并五苯有机薄膜晶体管器件载流子迁移率为8.9×10-3cm2/V·s,器件的阈值电压和开关电流比分别为-8.2 V和1.0×104.
