Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2009-06-25

Journal: 固体电子学研究与进展

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、Scopus

Volume: 29

Issue: 2

Page Number: 183-186

ISSN: 1000-3819

Key Words: 有机薄膜晶体管;迁移率;开关电流比

Abstract: 制作了以并五苯为半导体有源层材料的有机薄膜晶体管.用热氧化的方法制备了一层230 nm的二氧化硅栅绝缘层并用原子力显微镜(AFM)分析了表面形貌.研究了器件的电学性能,得到的并五苯有机薄膜晶体管器件载流子迁移率为8.9×10-3cm2/V·s,器件的阈值电压和开关电流比分别为-8.2 V和1.0×104.