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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2015-11-15

Journal:仪表技术与传感器

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Issue:11

Page Number:1-3,14

ISSN No.:1002-1841

Key Words:深反应离子刻蚀;刻蚀钝化时间比;射频功率;黑硅;SiO2 薄膜

Abstract:文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀（ DRIE）工艺过程。首先，研究了DRIE刻蚀钝化时间比（TSF 6∶TC4F8）对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化，采用刻蚀钝化时间比分别为9 s／2 s、11 s／2 s（ C4 F8下电极射频功率为40 W）和11 s／2 s（ C4 F8下电极射频功率为0 W）的三步刻蚀工艺，贯穿刻蚀了宽度为150μm，深度为300μm的直壁沟槽。其次，研究了C4 F8（八氟环丁烷）钝化气体对SiO2薄膜过刻蚀的现象，采用降低C4 F8下电极射频功率方法，减小了 C4 F8对SiO2薄膜过刻蚀。