Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2010-01-01

Journal: 光电子·激光

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI、Scopus

Volume: 21

Issue: 4

Page Number: 524-528

ISSN: 1005-0086

Key Words: 酞菁; 有机电致发光器件(OLED); 近红外(NIR)

Abstract: 制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温
   下的发射峰位于1110 nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14 wt%.
   制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,
   DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DC
   JTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输.