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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2010-01-01

Journal:光电子·激光

Included Journals:Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

Volume:21

Issue:4

Page Number:524-528

ISSN No.:1005-0086

Key Words:酞菁; 有机电致发光器件(OLED); 近红外(NIR)

Abstract:制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温
   下的发射峰位于1110 nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14 wt%.
   制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,
   DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DC
   JTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输.