点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2010-01-01

发表刊物：光电子·激光

收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：21

期号：4

页面范围：524-528

ISSN号：1005-0086

关键字：酞菁; 有机电致发光器件(OLED); 近红外(NIR)

摘要：制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温
   下的发射峰位于1110 nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14 wt%.
   制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,
   DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DC
   JTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输.