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Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2018-08-21

Journal: 电子元件与材料

Volume: 37

Issue: 8

Page Number: 36-39

ISSN: 1001-2028

Key Words: 反应溅射;氮化钽薄膜;氮分压;物相结构;热处理;电阻率

Abstract: 为了研制应用于超高温薄膜传感器的敏感层,采用直流磁控反应溅射,在硅基底上制备了氮化钽薄膜.研究了氮分压对薄膜微观结构和电阻率的影响.采用X射线衍射仪测试了氮化钽薄膜的物相结构,采用场发射扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌和断面形貌.利用半导体参数测试系统和三维手动探针台测量了氮化钽薄膜的电阻率.结果表明:在2％氮分压下,薄膜的物相结构为TaN0.1,在3％氮分压下,薄膜的物相结构为Ta2 N,而当氮分压在4％～6％的情况下,薄膜的物相结构为TaN.采用真空烘箱对氮化钽薄膜进行高温热处理.结果表明,薄膜电阻率从(80～433)×10-6Ω·cm提升到了(120～647)×10-6Ω·cm.