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基于纵向短栅极沟道结构的低导通电阻常关型GaN基HEMT器件制备研究

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Leading Scientist:huanghuolin

Project Participants:Shen Rensheng,taopengcheng

Supported by:国家自然科学基金项目

Sub-Class of Project:青年科学基金项目

Status:结题

Supported by:国家自然科学基金委员会

Nature of Project:纵向

Project Approval Number:51607022

Date of Project Approval:2016-08-17

Scheduled completion time:2019-12-31

Date of Project Initiation:2017-01-01

Pre One:耐辐照室温氮化镓一维位置灵敏带电粒子探测系统的研制

Next One:耐高温耐辐照氧化镓基宽带隙半导体中子探测器的研究