Release Time:2022-06-27  Hits:

Date of Publication: 2020-01-01

Journal: 微纳电子技术

Volume: 57

Issue: 10

Page Number: 765-770+786

Abstract: 相较于传统的吸收层-电荷层-倍增层分离（SACM）的锗/硅雪崩光电二极管（APD）,水平APD器件结构及工艺流程简单,且从设计上避免了电荷层的杂质浓度控制的难题。选用绝缘体上硅（SOI）晶圆片,基于0.18μm CMOS兼容工艺制备了一种高性能的波导集成水平锗/硅APD。对APD的器件参数进行了晶圆级测试,包括暗电流、光响应度以及带宽。测试结果表明,吸收区宽度为0.5μm、两侧间隔区宽度为0.8μm的器件在反偏电压-27.5 V下光响应度高达75.89 A/W,间隔区宽度为0.3μm时雪崩击穿电压低至-6.5 V,且可在0.9倍雪崩击穿电压附近测得3 dB带宽达20.06 GHz。

Note: 新增回溯数据