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个人信息Personal Information
高级工程师
硕士生导师
任职 : 微电子实验教学中心主任
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：集成电路学院
学科：微电子学与固体电子学. 光学工程
办公地点：辽宁省大连市大连经济技术开发区图强街321号大连理工大学开发区校区教学楼C区503室
联系方式：0411-62273210
电子邮箱：shjiank@dlut.edu.cn
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高性能波导集成型锗/硅水平APD
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发表时间：2020-01-01
发表刊物：微纳电子技术
卷号：57
期号：10
页面范围：765-770+786
摘要：相较于传统的吸收层-电荷层-倍增层分离（SACM）的锗/硅雪崩光电二极管（APD）,水平APD器件结构及工艺流程简单,且从设计上避免了电荷层的杂质浓度控制的难题。选用绝缘体上硅（SOI）晶圆片,基于0.18μm CMOS兼容工艺制备了一种高性能的波导集成水平锗/硅APD。对APD的器件参数进行了晶圆级测试,包括暗电流、光响应度以及带宽。测试结果表明,吸收区宽度为0.5μm、两侧间隔区宽度为0.8μm的器件在反偏电压-27.5 V下光响应度高达75.89 A/W,间隔区宽度为0.3μm时雪崩击穿电压低至-6.5 V,且可在0.9倍雪崩击穿电压附近测得3 dB带宽达20.06 GHz。
备注：新增回溯数据