点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2010-01-01

发表刊物：材料研究学报

收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：24

期号：6

页面范围：592-596

ISSN号：1005-3093

关键字：无机非金属材料; 硅; 电子束熔炼; 分凝; 挥发

摘要：采用电子束熔炼工艺提纯了冶金级硅材料. 硅中重要杂质元素Al在制备铸锭中的分布不均匀,呈现出由底部到顶部、由边缘到中心的富集趋势.
   铸锭边缘部位的杂质Al含量最低,已经低于ICP-AES的探测极限(1*10~(-5)%). 对杂质Al的挥发去除过程进行了理论分析.
   由Langmuir方程和Henry定律导出了杂质Al的去除率与熔体表面温度、熔炼时间的关系式,该关系式表明杂质Al的去除率会随着熔体表面温度升高
   、熔炼时间延长而增加,其理论计算值与实测结果符合的较好