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论文类型：期刊论文

发表时间：2011-01-01

发表刊物：机械工程材料

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：35

期号：9

页面范围：58

ISSN号：1000-3738

关键字：多孔硅; 多晶硅; 化学腐蚀; 电阻率; 少子寿命

摘要：采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层，通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果
   表明：随着腐蚀时间的延长，形成的多孔硅层呈现不同的形貌，多孔壁孔径逐渐变大，少子寿命延长且电阻率增大；腐蚀14
   min后，多孔硅层局部区域坍塌，孔壁变薄；腐蚀11 min时，经850℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值，分别为0. 98mus和0.
   16 Omega?cm。